Influences of Structure Defects on the Performances of Solution-Processed OFET
 
Influences of Structure Defects on the Performances of Solution-Processed OFET
发布人: 星禧   发布时间: 2018-08-06    浏览次数:

主讲人简介:

王建隆,副教授(2015-现),副教授(2011-2015年),国立台湾大学应用化学系副教授;阿克伦大学高分子工程系博士后研究助理(2011年);阿克伦大学高分子科学系博士(2011;国立台湾大学化学系(2001;国立台湾师范大学化学系学士(1999)。

报告内容简介:

电荷传输通道的质量对有机场效应晶体管(OFET)的性能有很大的影响。为了达到更高的电荷迁移率,solution-processed单晶体(SPSC)技术被用来建立共轭分子的晶体阵列,作为有效的电荷传输通道。然而,晶体阵列中细微的结构缺陷截断了电荷传输途径,影响了OFET机动性。在此演示中,将演示识别共轭分子晶体阵列的低角晶界(LAGB)、多态性和结晶度的表征过程。在此基础上,讨论了网格排列、包装结构和结晶度对OFET流动性的影响。结果表明:(1)统一晶格方向和包装结构,(2)晶体域的连续性在解决方案的性能和再现性中起着重要的作用。